Si va Ge asosidagi nanoplyonkali geterotizimlarning elektron hossalari
Si va Ge asosidagi nanoplyonkali geterotizimlarning elektron hossalari — fizika-matematika fanlari boʻyicha falsafa doktori (PhD) ilmiy darajasini olish uchun Yorqulov Ruslan Maxammadi oʻgʻli tomonidan tayyorlangan ilmiy dissertatsiya ishi[1].
Umumiy maʼlumot
Dissertatsiya 01.04.04 – Fizik elektronika ixtisosligi doirasida Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti bazasida bajarilgan. Tadqiqot ishi fizika-matematika fanlari sohasidagi dolzarb nazariy va amaliy masalalarni hal qilishga qaratilgan boʻlib, yangi ilmiy natijalar va amaliy xulosalarni taqdim etadi.
Himoya tafsilotlari
Dissertatsiya himoyasi Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti huzuridagi DSc.02/30.12.2019.FM.65.01 raqamli ilmiy kengash majlisida oʻtkazilishi belgilangan[2].
- Tadqiqotchi: Yorqulov Ruslan Maxammadi oʻgʻli
- Ixtisoslik: 01.04.04 – Fizik elektronika
- Talabgor ilmiy darajasi: Fizika-matematika fanlari boʻyicha Falsafa doktori (PhD)
- Bajarilgan muassasa: Oʻzbekiston Respublikasi Fanlar Akademiyasi Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti
- Ilmiy kengash: DSc.02/30.12.2019.FM.65.01 raqamli ilmiy kengash
- Himoya sanasi: 2022 yil 2 avgust
- Manzil: 100125, Toshkent shahri, Doʻrmon yoʻli koʻchasi, 33-uy. , OʻzR FA Ion-plazma va lazer texnologiyalari instituti
Manbalar
- ↑ Oʻzbekiston Milliy axborot agentligi (OʻzA). „Yorqulov Ruslan Maxammadi oʻgʻlining fizika-matematika fanlari boʻyicha falsafa doktori (phd) dissertatsiya ishi himoyasi toʻgʻrisida“. Qaraldi: 2026-yil 19-oktyabr.
- ↑ «UzA — Ilm-fan» rasmiy kanali. „Yorqulov Ruslan Maxammadi oʻgʻlining dissertatsiya ishi himoyasi eʼloni“. Qaraldi: 2026-yil 19-oktyabr.