Si ва GaAs фотоэлектродли газ разряди ячейкасидаги фотоэлектрик жараёнлар
Si ва GaAs фотоэлектродли газ разряди ячейкасидаги фотоэлектрик жараёнлар — fizika-matematika fanlari boʻyicha fan doktori (DSc) ilmiy darajasini olish uchun Xaydarov Zokirjon tomonidan tayyorlangan ilmiy dissertatsiya ishi[1].
Umumiy maʼlumot
Dissertatsiya Fizika-matematika fanlari ixtisosligi doirasida Oʻzbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti bazasida bajarilgan. Tadqiqot ishi fizika-matematika fanlari sohasidagi dolzarb nazariy va amaliy masalalarni hal qilishga qaratilgan boʻlib, yangi ilmiy natijalar va amaliy xulosalarni taqdim etadi.
Himoya tafsilotlari
Dissertatsiya himoyasi Oʻzbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti huzuridagi DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12 raqamli Ilmiy kengash majlisida oʻtkazilishi belgilangan[2].
- Tadqiqotchi: Xaydarov Zokirjon
- Talabgor ilmiy darajasi: Fizika-matematika fanlari boʻyicha Fan doktori (DSc)
- Bajarilgan muassasa: Oʻzbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti
- Ilmiy kengash: DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12 raqamli Ilmiy kengash
- Himoya sanasi: 2022 yil 16 fevral
- Manzil: 100057, Toshkent shahri, Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.***Eslatma: OʻzA rasmiy saytida eʼlon qilinadigan dissertatsiyalar himoyasi toʻgʻrisidagi eʼlonlardan tushadigan mablagʻlar Agentlikni rivojlantirish jamgʻarmasiga tushiriladi
Manbalar
- ↑ Oʻzbekiston Milliy axborot agentligi (OʻzA). „Xaydarov Zokirjonning fizika-matematika fanlari boʻyicha fan doktori (dsc) dissertatsiya ishi himoyasi toʻgʻrisida“. Qaraldi: 2026-yil 19-oktyabr.
- ↑ «UzA — Ilm-fan» rasmiy kanali. „Xaydarov Zokirjonning dissertatsiya ishi himoyasi eʼloni“. Qaraldi: 2026-yil 19-oktyabr.