Optoelektron qurilmalar uchun GaAs va Si asosida koʻp qatlamli fotosezgir strukturalarni yaratish
Optoelektron qurilmalar uchun GaAs va Si asosida koʻp qatlamli fotosezgir strukturalarni yaratish — texnika fanlari boʻyicha fan doktori (DSc) ilmiy darajasini olish uchun Giyasova Feruza Abdiazizovna tomonidan tayyorlangan ilmiy dissertatsiya ishi[1].
Umumiy maʼlumot
Dissertatsiya Texnika fanlari ixtisosligi doirasida Oʻzbekiston Milliy universiteti bazasida bajarilgan. Tadqiqot ishi texnika fanlari sohasidagi dolzarb nazariy va amaliy masalalarni hal qilishga qaratilgan boʻlib, yangi ilmiy natijalar va amaliy xulosalarni taqdim etadi.
Himoya tafsilotlari
Dissertatsiya himoyasi Oʻzbekiston Milliy universiteti huzuridagi DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12 raqamli Ilmiy kengash majlisida oʻtkazilishi belgilangan[2].
- Tadqiqotchi: Giyasova Feruza Abdiazizovna
- Talabgor ilmiy darajasi: Texnika fanlari boʻyicha Fan doktori (DSc)
- Bajarilgan muassasa: Oʻzbekiston Milliy universiteti
- Ilmiy kengash: DSc.03/30.12.2019.FM/T.01.12 raqamli Ilmiy kengash
- Himoya sanasi: 2024 yil 19 yanvar soat 11:00
- Manzil: 100057, Toshkent shahri, Yangi Olmazor koʻchasi, 20-uy.e-mail: https://ispm
Manbalar
- ↑ Oʻzbekiston Milliy axborot agentligi (OʻzA). „Giyasova Feruza Abdiazizovnaning texnika fanlari boʻyicha fan doktori (dsc) dissertatsiya ishi himoyasi toʻgʻrisida“. Qaraldi: 2026-yil 19-oktyabr.
- ↑ «UzA — Ilm-fan» rasmiy kanali. „Giyasova Feruza Abdiazizovnaning dissertatsiya ishi himoyasi eʼloni“. Qaraldi: 2026-yil 19-oktyabr.